时间:2023-09-03 03:20:34来源:
场效应管(FieldEffectTransistor,FET)是一种半导体器件,也称为晶体管。
与另一种常见的晶体管—双极性晶体管不同,场效应管是一种单极性器件,只有一个类型的载流子参与电流传输。
它是在MOS(金属-氧化物-半导体)技术的基础上发展起来的。
场效应管与普通三极管不同。
它属于电压放大型。
而且是高阻抗输入高阻抗输出。
在不使用时,源漏之间必须短路,以防止脉冲损坏场效应管。
在焊接时要将电烙铁隔离或悬空。
场效应管(FET)的CG表示控制栅极到源极电容。
它是一个重要的参数,用于衡量场效应管内部的电容特性。
CG电容主要决定了场效应管的频率响应和输入电容。
当频率较高时,CG电容将成为主要的控制因素,限制了信号传输的速度和效能。
较大的CG电容会导致较大的输入电容,从而增加了电路的负载和功耗。
为了提高FET的性能,如增加频率响应和减小输入电容,需要选择低CG电容的场效应管或采用其他电路手段对电容进行补偿。
场效应管发热的原因主要有以下几点:
1.导通电阻:
场效应管通常是由N型或P型半导体材料制成的,因此在导通时,会产生一定的导通电阻,从而引起发热。
2.功率损耗:
场效应管在工作时会产生一定的功率损耗,其中包括漏电流、开关损耗和动态损耗等,这些损耗都会转化为热量在场效应管内部产生发热。
3.温度漂移:
场效应管在工作时会发生温度漂移现象,即温度不均衡。
由于不同部位的温度不同,就会发生局部温度过高的现象,从而引起发热。
4.结构热阻:
场效应管的结构复杂,内部存在很多细小的元器件,导致热量难以散发出去,形成热阻,从而引起发热。
5.外部环境:
场效应管工作时所在的外部环境(如温度、湿度、氧气含量等)也会影响其工作温度,从而引起发热。
场效应管损毁分两种情况,烧毁和击穿是两个概念,烧毁指的是管子在工作中过载从而导致PN结温度过高而损毁,击穿指的是管子在工作中加在管子上的电压超出管子实际允许的极限电压而导致PN结击穿损毁。